山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


LPCVD立式爐管設備

半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS;立式LPCVD采用鐘罩式結構,設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件,具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點。

LPCVD臥式爐管設備

LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。

SiC高溫退火爐

專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝; 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié); 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度;

SiC高溫氧化爐

專用于硅-碳化合物(SiC)氧化處理,可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝; 設備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié); 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度。

臥式爐

該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

立式爐

該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

MPCVD長晶爐

本設備主要是用于制備單晶金剛石??杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團,從而確保單晶生長的持續(xù)性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。

坩堝下降法(vb)長晶爐

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長;還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長。

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