山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類

暫無數(shù)據(jù)

暫無數(shù)據(jù)

聯(lián)系方式


地址:濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:liguan1218@163.com

垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

HVPE外延爐——立式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

導(dǎo)模法長晶爐

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長,將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長成單晶。

< 1 > 前往