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      山東力冠微電子裝備

      產品展示


      SiC高溫氧化設備

      ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

      SiC高溫退火設備

      ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

      LPCVD 臥式

      ? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業化生產

      LPCVD 立式

      ? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業化生產

      PECVD 臥式

      ? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長,工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態,產生大量的活性基團,這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面,生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜

      氧化/擴散設備

      ? 該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產的多種工藝性能需要,具有生長效率高、產品性能優越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝

      真空退火設備

      ◆ 主要用于半導體器件退火及燒結等工藝,可進行真空、氣體保護等 ◆ 設備結構新穎,操作方便 ◆ 在一臺設備上可以完成多個工藝流程

      LPE外延爐

      ◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續,而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中,氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好,廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中

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