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SiC高溫氧化設備


所屬分類:

第三代半導體工藝設備


概要:

專用于硅-碳化合物(SiC)氧化處理,可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2,N2O,NO是最安全的毒性氣體氧化爐,設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié),加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度。


關鍵詞:

MPCVD



SiC高溫氧化設備


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