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液相法長晶爐


所屬分類:

液相法長晶爐


概要:

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長。


關(guān)鍵詞:

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