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垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))


所屬分類:

Ga2O3單晶生長及外延設(shè)備


概要:

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。


關(guān)鍵詞:

坩堝下降法(vb)長晶爐



垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))


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HVPE外延爐——臥式

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