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      LPE外延爐


      所屬分類:

      第一代半導體工藝設備


      概要:

      ◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續,而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中,氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好,廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中


      關鍵詞:

      LPE外延爐



      LPE外延爐


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